半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-167680
公開番号（公開出願番号）：特開平9-017775
出願日： 1995年07月03日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：

【要約】【目的】接続孔の開口工程において、下層の不純物拡散層等の素子領域に、ダメージやコンタミネーションを与える虞れのない半導体装置の製造方法を提供する。【構成】接続孔エッチングを2段階化し、第2のプラズマエッチング工程においてはフッ素系化学種以外のハロゲン系化学種によりプラズマエッチングする。ここでは高密度プラズマエッチング装置を用いることが望ましい。【効果】第2のプラズマエッチング工程の採用により、露出した素子領域に炭素やフッ素によるコンタミネーションやダメージ層が発生することがない。素子領域上にシリサイド層が形成されている場合にも、TiFx 等の不揮発性反応生成物が残留せず、低オーミックコンタクトが実現できる。

請求項（抜粋）：

素子領域が形成された半導体基板上に層間絶縁膜を形成し、前記素子領域に臨む接続孔を前記層間絶縁膜に開口する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記工程は、前記層間絶縁膜の厚さ方向の1部を、前記素子領域表面が露出する直前までエッチングする第1のプラズマエッチング工程と、前記層間絶縁膜の厚さ方向の残部を、フッ素系化学種以外のハロゲン系化学種を発生しうるガスによりエッチングする第2のプラズマエッチング工程とを、この順に施すことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 21/302 F , H01L 29/78 301 P

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-327206 出願人：富士通株式会社
特開平3-022532
ドライエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-213205 出願人：ソニー株式会社

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