特許
J-GLOBAL ID：200903058985465014
両面基板およびその充填スルーホールの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡戸 昭佳 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-090177
公開番号（公開出願番号）：特開平11-289138
出願日： 1998年04月02日
公開日（公表日）： 1999年10月19日
要約：
【要約】【課題】 導通性に優れるとともに小径化も可能なスルーホール構造をその形成方法とともに提供し,両面基板における表裏間の導通性を向上させること。【解決手段】 コア基板1の両面に接着剤の層2,2を積層し,さらにその片面に銅箔3を積層し,そしてレーザ加工によりコア基板1および接着剤の層2,2に貫通孔を開ける。そこで銅箔3に片面電気めっきを施すと貫通孔が小径であっても銅めっき層6で充填される。これにより,その全部が金属で埋め尽くされるとともに上層に形成される配線パターンとの接続性にも優れた充填スルーホール構造が得られる。
請求項（抜粋）：
絶縁性の基層を有するとともにその表裏両面に配線パターンが形成される両面基板において,表裏面間の導通をとるための充填スルーホールを有し,前記充填スルーホールは,電気めっき金属で充填されていることを特徴とする両面基板。
IPC (3件)：
H05K 1/11
, C09J201/00
, H05K 3/40
H05K 1/11 N
, C09J201/00
, H05K 3/40 K
