高周波回路装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田澤博昭 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-336436
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156213
出願日： 1999年11月26日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】【課題】高周波回路100が使用する高周波信号の周波数が高くなると、半導体チップ101の裏面のグラウンド導体パターン103と実装基板102の内層のグラウンド導体パターン108との間に電位差が生じ、その結果、不要共振が発生して端子間のアイソレーションが劣化するなどの課題があった。【解決手段】半導体チップ1の裏面のグラウンド導体パターン3と実装基板2の裏面のグラウンド導体パターン5を所定の間隔を置いてそれぞれ接続するグラウンド導体接続手段を設ける。

請求項（抜粋）：

グラウンド導体パターンが裏面に施され、かつ、入力側及び出力側にストリップ導体パターンが接続されている高周波回路が表面に施された誘電体基板と、表面側が上記誘電体基板の表面側と平行に対向配置されて、ストリップ導体パターンが表面に施され、かつ、グラウンド導体パターンが裏面に施された実装基板と、上記高周波回路の入力側のストリップ導体パターンと上記実装基板の表面のストリップ導体パターンを接続するとともに、上記高周波回路の出力側のストリップ導体パターンと上記実装基板の表面のストリップ導体パターンを接続するストリップ導体接続手段と、上記誘電体基板の裏面のグラウンド導体パターンと上記実装基板の裏面のグラウンド導体パターンを所定の間隔を置いてそれぞれ接続するグラウンド導体接続手段とを備えた高周波回路装置。

IPC (2件)：

H01L 23/12 301 , H01L 23/12

FI (2件)：

H01L 23/12 301 L , H01L 23/12 E

引用特許：

出願人引用 (4件)

半導体モジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-053947 出願人：株式会社東芝
高周波半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-058192 出願人：シャープ株式会社
基板の接続構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-237285 出願人：株式会社東芝

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審査官引用 (2件)

半導体モジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-053947 出願人：株式会社東芝
高周波半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-058192 出願人：シャープ株式会社

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