特許

J-GLOBAL ID：200903059023389738

固体撮像装置及びその製造方法

発明者： 橋本 栄
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (4件)： 大塚 康徳 ,  高柳 司郎 ,  大塚 康弘 ,  木村 秀二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-318741
公開番号（公開出願番号）：特開2007-128979
出願日： 2005年11月01日
公開日（公表日）： 2007年05月24日
要約：

【課題】オプティカルブラック領域の保護膜の下に遮光膜が配置されることに起因する暗電流の不均一性の問題を解決する。【解決手段】固体撮像装置は、受光部102が形成された半導体部材101と、半導体部材101の上方に配置された水素供給能力を有する保護膜108と、半導体部材101と保護膜108との間に配置された少なくとも2つの金属層105、107とを備える。半導体部材101と保護膜108との間に配置された各金属層105、107において、オプティカルブラック領域400内のパターンの密度と有効画素領域300内のパターンの密度とを略同一にする。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

オプティカルブラック領域及び有効画素領域を有する固体撮像装置であって、 受光部が形成された半導体部材と、 前記半導体部材の上方に配置された水素供給能力を有する保護膜と、 前記半導体部材と前記保護膜との間に配置された少なくとも2つの金属層と、 を備え、前記半導体部材と前記保護膜との間に配置された各金属層において、前記オプティカルブラック領域内のパターンの密度と前記有効画素領域内のパターンの密度とが略同一であることを特徴とする固体撮像装置。

IPC (2件)：

H01L 27/14 ,  H04N 5/335

FI (2件)：

H01L27/14 D ,  H04N5/335 U

Fターム (20件)：

4M118AA05 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA32 ,  4M118CB13 ,  4M118CB14 ,  4M118EA01 ,  4M118EA04 ,  4M118FA06 ,  4M118GB09 ,  4M118GB11 ,  4M118GB17 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  5C024CX03 ,  5C024CY47 ,  5C024GZ36

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 固体撮像素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-045335   出願人：ソニー株式会社
• 特開平01-245528号公報
  
• 固体撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-039472   出願人：シャープ株式会社