導波路型半導体受光素子およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-216650
公開番号（公開出願番号）：特開平11-068127
出願日： 1997年08月11日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】導波路型半導体受光素子において、暗電流を低減し、信頼性を向上させる。【解決手段】入射端面をエッチングにより形成する工程と、素子分離のためのガイド溝をエッチングにより形成する工程を少なくとも含み、かつこれらの工程が同時に行われることを特徴とする導波路型半導体受光素子の製造方法。

請求項（抜粋）：

導波路型半導体受光素子の製造方法において、入射端面をエッチングにより形成する工程と、素子分離のためのガイド溝をエッチングにより形成する工程を少なくとも含み、かつこれらの工程が同時に行われることを特徴とする導波路型半導体受光素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 31/0232 , H01L 31/10

FI (2件)：

H01L 31/02 D , H01L 31/10 Z

引用特許：

審査官引用 (4件)

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