特許
J-GLOBAL ID：200903002782588913
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-207950
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066287
出願日： 1993年08月23日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：
【要約】【目的】 有機系シリコンとO3 との反応を用いるCVD法により形成されるシリコン酸化膜の下地の表面の材質を均一且つ良質にする。【構成】 半導体基板10の一主面上に部分的に第1の配線層16を形成した後、半導体基板10の一主面及び第1の配線層16の上に全面に亘って疎水基を有する分子例えばヘキサメチルジシラザン(HMDS)からなる分子層24を形成する。次に、分子層24の上に全面に亘って、オゾンと有機系シリコン例えばテトラエトキシシラン(TEOS)との反応を利用した常圧CVD法によりシリコン酸化膜であるTEOS-O3 膜22を形成した後、該TEOS-O3 膜22の上に第2の配線層23を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、該半導体基板の一主面上に部分的に形成された第1の配線層と、上記半導体基板の一主面及び第1の配線層の上に全面に亘って形成された疎水基を有する分子からなる分子層と、オゾンと有機系シリコンとの反応を利用したCVD法により上記分子層の上に全面に亘って形成されたシリコン酸化膜と、該シリコン酸化膜の上に部分的に形成された第2の配線層とを備えていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/768
, H01L 21/205
, H01L 21/316
