特許
J-GLOBAL ID：200903059073460840

絶縁樹脂層上の配線形成方法

発明者：
山野 孝治

山野 孝治 について

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原山 公作

原山 公作 について

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加藤 広幸

加藤 広幸 について

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小山 鉄也

小山 鉄也 について


出願人/特許権者：
新光電気工業株式会社

新光電気工業株式会社 について


代理人 (5件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康 ,  西山 雅也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-260844
公開番号（公開出願番号）：特開2007-073834
出願日： 2005年09月08日
公開日（公表日）： 2007年03月22日
要約：
【課題】 下地である絶縁樹脂層との接合強度を十分に確保した配線を形成する方法を提供する。【解決手段】 基層配線が形成されている絶縁基板上に、半硬化状態の熱硬化性樹脂フィルムと、マット面を樹脂フィルム側にした金属箔とを重ねて加熱下で加圧する工程、 金属箔に、絶縁樹脂層のビアホール形成予定箇所を露出させる開口を形成する工程、 この金属箔をマスクとしてレーザビーム加工等により絶縁樹脂層にビアホールを形成する工程、 金属箔の開口を介してビアホールのデスミア処理を行う工程、 金属箔をエッチングにより除去する工程、 絶縁樹脂層の上面と、ビアホールの側面と、ビアホールの底部を成す基層配線の上面とを連続して覆う無電解金属めっき層を形成する工程、および 無電解金属めっき層上にセミアディティブ法により電解金属めっき層から成る配線を形成する工程を含む。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
多層配線基板の層間絶縁層を構成するための絶縁樹脂層上に配線を形成する方法において、 基層配線が形成されている絶縁基板上に、半硬化状態の熱硬化性樹脂フィルムと、マット面を該樹脂フィルム側にした金属箔とをこの順に重ねて加熱下で加圧し、該基板上に硬化状態の該樹脂フィルムから成る絶縁樹脂層と該金属箔とが積層した一体構造を形成する工程、 該金属箔に、該絶縁樹脂層のビアホール形成予定箇所を露出させる開口を形成する工程、 該開口を形成した該金属箔をマスクとして高エネルギービームを照射して該絶縁樹脂層にビアホールを形成する工程、 該金属箔の開口を介して該ビアホールのデスミア処理を行う工程、 該金属箔をエッチングにより除去することにより該絶縁樹脂層の上面を露出させる工程、 該絶縁樹脂層の上面と、該ビアホールの側面と、該ビアホールの底部を成す該基層配線の上面とを連続して覆う無電解金属めっき層を形成する工程、および 該無電解金属めっき層上にセミアディティブ法により電解金属めっき層から成る配線を形成する工程、 を含むことを特徴とする絶縁樹脂層上の配線形成方法。
IPC (2件)：
H05K 3/46 ,  H05K 3/42
FI (4件)：
H05K3/46 B ,  H05K3/46 N ,  H05K3/46 X ,  H05K3/42 620B
Fターム (41件)：
5E317AA24 ,  5E317BB01 ,  5E317BB11 ,  5E317CC32 ,  5E317CC33 ,  5E317CC44 ,  5E317CC51 ,  5E317CD15 ,  5E317CD18 ,  5E317CD25 ,  5E317CD32 ,  5E317GG03 ,  5E346AA05 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA32 ,  5E346AA43 ,  5E346BB01 ,  5E346CC02 ,  5E346CC08 ,  5E346CC32 ,  5E346CC54 ,  5E346DD02 ,  5E346DD12 ,  5E346DD25 ,  5E346DD33 ,  5E346EE02 ,  5E346EE06 ,  5E346EE08 ,  5E346EE13 ,  5E346EE18 ,  5E346EE38 ,  5E346FF03 ,  5E346FF15 ,  5E346GG15 ,  5E346GG16 ,  5E346GG17 ,  5E346GG22 ,  5E346GG23 ,  5E346GG28 ,  5E346HH11
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (2件)

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