特許
J-GLOBAL ID：200903059094804612

半導体薄膜および薄膜デバイス

発明者：
吉見 雅士

吉見 雅士 について

, 
藤原 敬史

藤原 敬史 について


出願人/特許権者：
鐘淵化学工業株式会社

鐘淵化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-206605
公開番号（公開出願番号）：特開2000-040664
出願日： 1998年07月22日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：
【要約】【課題】 低温プロセスで製造する半導体薄膜の高性能化のために、IV族原子と膜中水素原子との結合状態が制御された構造乱れの少ない高品質な水素化半導体薄膜と、これを応用した優れた特性を示す薄膜デバイスを得る。【解決手段】 化学気相反応成長法を用いて下地温度400°C以下で堆積されたIV族原子と水素原子とを主要構成元素として含む半導体薄膜であって、室温から加熱した際の膜中水素原子の放出量の昇温温度依存性において、370°C以上410°C以下に放出水素量のピークを有するプロファイルを示し、該ピークの半値幅が30°C以下であることを特徴とする半導体薄膜、および該半導体薄膜を含む半導体ユニット部と導電性薄膜から成る電極部を含み、かつこれらが同一基板上に形成されていることを特徴とする薄膜デバイス提供する。
請求項（抜粋）：
化学気相反応成長法を用いて下地温度400°C以下で堆積されたIV族原子と水素原子とを主要構成元素として含む半導体薄膜であって、室温から加熱した際の膜中水素原子の放出量の昇温温度依存性において、370°C以上410°C以下に放出水素量のピークを有するプロファイルを示し、該ピークの半値幅が30°C以下であることを特徴とする半導体薄膜。
IPC (4件)：
H01L 21/205 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 31/04
FI (4件)：
H01L 21/205 ,  H01L 29/78 627 E ,  H01L 29/78 627 F ,  H01L 31/04 B
Fターム (33件)：
5F045AA08 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC05 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AE21 ,  5F045AF07 ,  5F045AF10 ,  5F045BB07 ,  5F045CA13 ,  5F045CA15 ,  5F045DA62 ,  5F045DA68 ,  5F045EH13 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051BA05 ,  5F051CA14 ,  5F051CA36 ,  5F051CB27 ,  5F051FA02 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051FA15 ,  5F051FA16 ,  5F051FA17
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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