炭化珪素焼結体の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中島淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-339181
公開番号（公開出願番号）：特開平11-171652
出願日： 1997年12月09日
公開日（公表日）： 1999年06月29日
要約：

【要約】【課題】強度特性に優れた炭化珪素焼結体が得られ、強度を必要とする分野に有効な素材を提供する。【解決手段】炭化珪素粉体と炭素粉体または炭素源となる有機物質とからなる混合粉末に有機質バインダーを溶解した水に分散させ、鋏込み成形し、得られた成形体を真空あるいは不活性ガス下で仮焼し、該仮焼体に加熱下で溶融金属シリコンを浸透させて得られる炭化珪素焼結体の製造法において、前記炭化珪素粉体として、炭化珪素粉末を粉砕・分級するする手段によって得られた炭化珪素粉体を用いる。この粉砕手段としては高圧気流式粉砕装置等が使用され、これによって平均粒径が1.50〜8.00μmの炭化珪素粉体が得られる。

請求項（抜粋）：

炭化珪素粉体と炭素粉体または炭素源となる有機物質とからなる混合粉末に有機質バインダーを溶解した水に分散させ、鋏込み成形し、得られた成形体を真空あるいは不活性ガス下で仮焼し、該仮焼体に加熱下で溶融金属シリコンを浸透させて得られる炭化珪素焼結体の製造法において、前記炭化珪素粉体として、炭化珪素粉末を粉砕・分級する手段によって得られた炭化珪素粉体を用いることを特徴とする炭化珪素焼結体の製造方法。

IPC (4件)：

C04B 35/626 , C04B 35/565 , C04B 41/88 , H01L 21/68

FI (4件)：

C04B 35/56 101 P , C04B 41/88 U , H01L 21/68 N , C04B 35/56 101 H

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体製造用炭化珪素焼結体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-006264 出願人：住友金属工業株式会社, 株式会社ブリヂストン
特開昭63-260863
特開昭63-260863

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