特許
J-GLOBAL ID：200903059205582924
半導体受光素子とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-324932
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223921
出願日： 1997年11月26日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：
【要約】【課題】 高速動作が可能な導波路型の半導体受光素子であって、特に変調歪をなくした高感度な半導体受光素子とその製造方法を提供する。【解決手段】 導波路領域の単位長当たりの吸収エネルギ量を、その全域に亘ってほぼ一定にする。具体的には光の閉じ込め係数Γ(x)を導波路領域における光の導波距離xに従って大きく設定する。好ましくは光吸収層の厚みd(x)を導波路領域における光の導波距離xに従って厚く設定した素子構造とする。また導波路方向に幅を変化させたマスクを用いた光吸収層の領域選択成長により、上記素子構造の半導体受光素子を簡易に製作する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に積層形成された複数の半導体層からなり、光吸収層の両側に光閉じ込め層を備えた導波路構造の半導体受光素子であって、前記半導体層と平行に入射される光の、導波路領域における単位長当たりの吸収エネルギ量をほぼ一定にしたことを特徴とする半導体受光素子。
引用特許：
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