特許
J-GLOBAL ID：200903059207060518
半導体基板の欠陥の検出方法と試料の作製方法及び欠陥の観察方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-085625
公開番号（公開出願番号）：特開平10-260138
出願日： 1997年03月19日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：
【要約】【課題】半導体基板表面及び表面近傍に存在する欠陥(異物を含む)の観察を高精度に行う際に、形状の変化、変質のおそれが無く、容易に低コストで試料が作製できる方法を提供すること。【解決手段】レーザー光散乱異物位置検査装置とレーザー光散乱顕微鏡とを用いてレーザー光散乱体の存在するポイントを検出しておき、このポイントにマーキングを施し、このマーキングを利用してTEM観察用試料を作製する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の欠陥を検出する方法において、レーザー光散乱異物位置検査装置及び/又はレーザー光散乱顕微鏡を用いて半導体基板表面及び表面近傍のレーザー光散乱体の存在するポイントを検出する工程と、前記レーザー光散乱体の存在が確認されたポイントの表面を走査型プロ-ブ顕微鏡を用いて測定することにより前記レーザー光散乱体の存在するポイントを検出する工程とを含むことを特徴とする半導体基板の欠陥の検出方法。
IPC (3件)：
G01N 21/88
, G01N 37/00
, H01L 21/66
G01N 21/88 E
, G01N 37/00 A
, H01L 21/66 L
