特許

J-GLOBAL ID：200903059232924551

化学的機械的平坦化方法

発明者： 上村 哲也
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-380288
公開番号（公開出願番号）：特開2007-180451
出願日： 2005年12月28日
公開日（公表日）： 2007年07月12日
要約：

【課題】化学機械研磨による被研磨面の平坦化工程において十分な研磨速度で研磨進行し、ディッシング等の表面欠陥が抑えられ、現実の使用においてもコストを十分に抑える事が出来る半導体集積回路用基板の製造方法を提供する。【解決手段】四級アンモニウム塩と、アミノ酸構造以外のカルボキシル基を有する有機酸と、研磨砥粒と、を含有する金属用研磨液を、研磨定盤上の研磨パッドに研磨液流量が0.035〜0.25ml/min・cm2の範囲で供給しながら、前記研磨パッドを被研磨体の被研磨面と接触させ相対運動させて研磨することを特徴とする半導体集積回路用基板の化学的機械的平坦化方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(I)で表されるカルボキシル基を有する有機酸と、下記一般式(II)で表される四級アンモニウム塩と、研磨粒子と、を含有する金属用研磨液を、研磨定盤上の研磨パッドに研磨液流量が0.035〜0.25ml/min・cm2の範囲で供給しながら、該研磨パッドを被研磨体の被研磨面と接触させ相対運動させて研磨することを特徴とする半導体集積回路用基板の化学的機械的平坦化方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14

FI (6件)：

H01L21/304 622D ,  H01L21/304 622E ,  B24B37/00 H ,  B24B37/00 K ,  C09K3/14 550C ,  C09K3/14 550Z

Fターム (8件)：

3C058AA07 ,  3C058CA05 ,  3C058CB02 ,  3C058CB03 ,  3C058CB05 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17

引用特許：

出願人引用 (3件)

• シリコンウエーハの研磨用組成物及び研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-318185   出願人：株式会社フジミインコーポレーテッド
• 研磨用組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-131073   出願人：株式会社フジミインコーポレーテッド
• 酸化物対窒化物高選択性スラリー
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-004256   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド