特許

J-GLOBAL ID：200903085885971920

研磨用組成物

発明者： 鈴 村 聡 ,  伊 東 真 時
出願人/特許権者： 株式会社フジミインコーポレーテッド
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-131073
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321569
出願日： 1997年05月21日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】【課題】 ポリシリコン膜に対する研磨速度、およびポリシリコン膜の二酸化ケイ素膜に対する選択比が大きく、表面欠陥の少ない、優れた研磨表面を形成させることができる研磨用組成物の提供。【解決手段】 二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化セリウム、酸化チタン、窒化ケイ素、酸化ジルコニウム、および二酸化マンガンからなる群より選ばれる少なくとも1種類の研磨材および水を含んでなる研磨用組成物であって、さらにこの組成物中に溶存している塩基性有機化合物を含んでなることを特徴とする、ポリシリコン研磨用組成物。

請求項（抜粋）：

二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化セリウム、酸化チタン、窒化ケイ素、酸化ジルコニウム、および二酸化マンガンからなる群より選ばれる少なくとも1種類の研磨材および水を含んでなる研磨用組成物であって、さらにこの組成物中に溶存している塩基性有機化合物を含んでなることを特徴とする、ポリシリコン研磨用組成物。

IPC (4件)：

H01L 21/304 321 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14

FI (4件)：

H01L 21/304 321 P ,  B24B 37/00 H ,  C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 M

引用特許：

審査官引用 (3件)

• シリコンウェハの研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-243811   出願人：新日本製鐵株式会社
• 半導体ウエハーの研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-007150   出願人：日産化学工業株式会社
• 特開昭62-030333