特許
J-GLOBAL ID：200903059233404551
半導体レーザ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-265696
公開番号（公開出願番号）：特開平8-125272
出願日： 1994年10月28日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：
【要約】【目的】活性層へのPクラッド層ドーパントの拡散を抑制し、高信頼の半導体レーザを提供する。【構成】活性層4とP型クラッド層6の間に、格子定数がGaAsより大きい歪み層12aと格子定数がGaAsと同じ無歪み層12bが交互に数層から数十層積層されている多重歪み拡散阻止層12を形成する。多重歪み拡散阻止層12の各界面には強い電界が生じ第2導電型クラッド層から拡散してくる不純物は各界面で捕獲される。歪み層12aと無歪み層12bとを交互に多層に形成することにより、第2導電型クラッド層ドーパントの拡散を抑制する能力が大きく向上する。よって、活性層4への第2導電型クラッド層ドーパントの拡散を効果的に抑制することができ、高信頼な半導体レーザを実現することができる。
請求項（抜粋）：
少なくとも半導体基板上に活性層とこの活性層より禁制帯幅の広いn型とp型のクラッド層が前記活性層の相反する側に設けられ、かつ前記p型クラッド層と活性層との間に歪拡散阻止層を有する半導体レーザにおいて、前記歪拡散阻止層は、格子定数が前記半導体基板より大きく禁制帯幅が前記活性層より広い歪み半導体層と格子定数が前記歪み半導体層と異なり禁制帯幅が前記活性層より広い半導体層を交互に形成した多層構造であることを特徴とする半導体レーザ。
引用特許：
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