特許

J-GLOBAL ID：200903059237000994

高密度半導体実装用はんだ材料

発明者： 田中 靖久 ,  賀来 芳弘 ,  吉留 大輔
出願人/特許権者： 大豊工業株式会社
代理人 (1件)： 村井 卓雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-157227
公開番号（公開出願番号）：特開平11-005189
出願日： 1997年06月13日
公開日（公表日）： 1999年01月12日
要約：

【要約】【課題】 ボールグリッドアレイなどのボールまたはバンプ形状を有するはんだの耐疲労性を高める。【解決手段】 はんだ材料組成:?@MA (但し、In,Gaの少なくとも1種)0.01〜10%、?AMB (但し、Sb,Biの少なくとも1種)0.01〜8%、及び?BAg及びAuの少なくとも1種0.01〜10%からなる群?@〜?Bの少なくとも2種と、Pb10〜95%と、残部(0%を除く)Sn。はんだ材料組織:はんだ付状態ではMA 、MB はPb相及びSn相に実質的に固溶した状態であり、はんだ付後に析出させた前記MA 及び/又はMB を含むもしくはMA 及び/又はMB からなる二次相が主としてPb結晶粒及びSn結晶粒の粒界に存在する。

請求項（抜粋）：

重量百分率で、?@MA (但し、In,Gaの少なくとも1種)0.01〜10%、?AMB (但し、Sb,Biの少なくとも1種)0.01〜8%、及び?BAg及びAuの少なくとも1種0.01〜10%からなる群?@〜?Bの少なくとも2種と、Pb10〜95%と、残部(0%を除く)Snとから実質的にからなり、はんだ付状態ではMA 、MB はPb相及びSn相に実質的に固溶した状態であり、はんだ付後に析出させた前記MA 及び/又はMB を含むもしくはMA 及び/又はMB からなる二次相が主としてPb結晶粒及びSn結晶粒の粒界に存在しており、耐疲労性が優れていることを特徴とする高密度半導体の実装のためのボール又はバンプ形状をもつはんだ材料。

IPC (5件)：

B23K 35/26 310 ,  B23K 35/26 ,  C22C 11/10 ,  C22C 13/00 ,  H01L 21/60 311

FI (5件)：

B23K 35/26 310 A ,  B23K 35/26 310 B ,  C22C 11/10 ,  C22C 13/00 ,  H01L 21/60 311 S

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 特開平3-106591
  
• 特開平3-204194
  
• 高温はんだ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-254321   出願人：サンケン電気株式会社, 千住金属工業株式会社
• 多端子表面実装用のはんだ箔
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-006628   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平3-106591
  
• 特開平3-204194