マルチチップモジュール

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-297533
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151702
出願日： 1992年11月09日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】基板上に半導体チップを実装したマルチチップモジュールにおいて、基板面積の縮小化および基板上の配線長の短縮化を行うことによって、マイクロプロセッサの高速化を図る。【構成】基板1に実装されている半導体チップ2、3を覆うように絶縁層6を設け、絶縁層6の上に第2層目の半導体チップ4を実装する。この際、第2層目の半導体チップ4が基板1上の配線層5とコンタクトをとれるように絶縁層6にビアホール7をあけ、絶縁層6上の金属配線8と導通させる。さらに、この上に前記絶縁層6、ビアホール7、金属配線8を順次形成し、半導体チップを複数層に縦積みしてマルチチップモジュールを形成する。

請求項（抜粋）：

配線が施された基板上に半導体チップを複数個実装しこの基板をパッケージに搭載したマルチチップモジュールにおいて、基板上に実装した第1層目の半導体チップと、この半導体チップの一部または全部を覆う領域に形成した絶縁層と、基板上の配線とのコンタクトをとるためのビアホールを前記絶縁層に形成し、このビアホールを介して導通する絶縁層上に形成された金属配線層と、この金属配線層上に実装した第2層目の半導体チップとを有することを特徴とするマルチチップモジュール。

IPC (4件)：

H01L 25/065 , H01L 25/07 , H01L 25/18 , H01L 25/04

FI (2件)：

H01L 25/08 B , H01L 25/04 Z

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-054072 出願人：松下電工株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-182322 出願人：富士通株式会社

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