特許
J-GLOBAL ID：200903059269575263
半導体試験装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-354160
公開番号（公開出願番号）：特開2002-156413
出願日： 2000年11月21日
公開日（公表日）： 2002年05月31日
要約：
【要約】【課題】 書き込み終了条件の設定以降の測定に関連するデータの取得が可能な半導体試験装置を提供する。【解決手段】 本発明の半導体試験装置10は、入力される測定条件から被測定デバイスへ与える入力測定データSIを生成する入力データ発生部12と、測定条件から測定期待データを生成する期待データ発生部13と、入力測定データSIに基づき被測定デバイス15が出力する測定結果データSOと、測定期待データSPとを比較し、被測定デバイス15の機能の良否を判定し、判定結果として判定結果データSRを出力する判定部14と、あらかじめ設定された書込を終了する書込終了条件となった後も所定の期間、判定結果データSR,測定結果データSO,測定期待データSP及び測定入力データSIを含む関連データを、時系列に、ログメモリに書き込むデータログシステム部16とから構成されている。
請求項（抜粋）：
入力される測定条件から被測定デバイスへ与える測定データを生成する入力データ発生部と、前記測定条件から期待データを生成する期待データ発生部と、前記測定データに基づき前記被測定デバイスが出力する測定結果データと、前記期待データとを比較し、該被測定デバイスの機能の良否を判定し、判定結果として判定結果データを出力する判定部と、前記判定結果データ,測定結果データ,測定期待データ及び前記測定入力データを含む関連データを、時系列に、ログメモリに書き込むデータログシステム部とを備え、前記データログシステム部は、前記関連データのいずれかまたはログメモリのアドレスが、あらかじめ設定された書込を終了する書込終了条件となった後も所定の期間、前記関連データをログメモリに書き込むことを特徴とする半導体試験装置。
Fターム (6件)：
2G032AB01
, 2G032AC03
, 2G032AE08
, 2G032AE10
, 2G032AE12
, 2G032AH07
