電界効果トランジスタ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：早瀬憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-208719
公開番号（公開出願番号）：特開平10-056168
出願日： 1996年08月08日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：

【要約】【課題】周波数多重通信における隣接回線への漏洩信号を低減するため、歪み特性の良い高出力,高効率FETを得る。【解決手段】電界効果トランジスタの、下部キャリア供給層14aとチャネル層105との界面近傍の電子親和力の差が、チャネル層105と上部キャリア供給層14bとの界面近傍の電子親和力の差よりも大きいものとした。

請求項（抜粋）：

半絶縁性の半導体基板上に、高抵抗のバッファ層と、該バッファ層上に形成された比較的高濃度の不純物を有する第1の半導体層と、該第1の半導体層上に形成された,アンドープ,または比較的低濃度の不純物を有する第2の半導体層と、該第2の半導体層上に形成された比較的高濃度の不純物を有する第3の半導体層と、該第3の半導体層上に形成された,その表面にゲート電極,ソース電極,及びドレイン電極が形成された第4の半導体層とを備えた電界効果トランジスタであって、上記第2の半導体層を構成する材料の電子親和力が、上記第1の半導体層,及び第3の半導体層を構成する材料の電子親和力よりも大きく、かつ、上記第1の半導体層と上記第2の半導体層との界面近傍の電子親和力の差が、上記第2の半導体層と上記第3の半導体層との界面近傍の電子親和力の差よりも大きいことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 29/80 H , H01L 29/78 301 B

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭62-040777
高電子移動度電界効果半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-234425 出願人：富士通株式会社, 富士通カンタムデバイス株式会社
電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-250415 出願人：株式会社東芝

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