特許

J-GLOBAL ID：200903059313165167

太陽電池の製造方法

発明者： 進藤 太介 ,  兼岩 実
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-156676
公開番号（公開出願番号）：特開平10-004204
出願日： 1996年06月18日
公開日（公表日）： 1998年01月06日
要約：

【要約】【課題】 Al層を形成しかつ除去する必要性をなくして生産性を向上し、シリコン基板とシリコン熱酸化膜層との界面の欠陥を充分に不活性化させ、光電変換効率にすぐれた太陽電池を製造する。【解決手段】 シリコン基板11にn型層12を形成し、CVD法を用いて基板温度350°C以下の条件でシリコン基板11の表裏両面に水素化非晶質シリコン膜層18,19を堆積形成し、第1段階で300°C〜500°Cで加熱し、第2段階で800°C以上で加熱して水素化非晶質シリコン膜層18,19を熱酸化することでパッシベーション膜となるシリコン熱酸化膜層13,16に変化させ、この過程で水素化非晶質シリコン膜層18,19中の水素をシリコン基板11とシリコン熱酸化膜層13,16との界面に供給して、界面の欠陥を不活性化する。表面に反射防止膜層14を、裏面にAl層17を形成し、表面にグリッド電極15を作る。

請求項（抜粋）：

パッシベーション膜としてシリコン熱酸化膜層を有する太陽電池の製造方法であって、シリコン基板上に水素化非晶質シリコン膜層を堆積形成した後、この水素化非晶質シリコン膜層を熱酸化することにより前記シリコン熱酸化膜層に変化させることを特徴とする太陽電池の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/316

FI (3件)：

H01L 31/04 L ,  H01L 21/316 S ,  H01L 31/04 F

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 太陽電池及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-212425   出願人：シャープ株式会社
• 光起電力装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-166329   出願人：三洋電機株式会社
• 光電変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-175019   出願人：シヤープ株式会社
• 光電変換装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-268027   出願人：シヤープ株式会社
• 特開昭62-089369