特許

J-GLOBAL ID：200903059331351610

アモルファス絶縁体膜及び薄膜トランジスタ

発明者： 薮田 久人 ,  加地 信幸 ,  林 享
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (2件)： 山下 穣平 ,  永井 道雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-037994
公開番号（公開出願番号）：特開2008-205098
出願日： 2007年02月19日
公開日（公表日）： 2008年09月04日
要約：

【課題】電気的に高性能、安価並びに低温形成可能なアモルファス絶縁体膜及び薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】Si酸化物アモルファス絶縁体膜中にArを含有し、その膜中のAr量がSiに対して原子数比で3%以上(Ar/Si ≧ 3 at.%)である膜を作製する。また望ましくは前記絶縁体膜中のAr量が、Siに対して原子数比で17%以下(Ar/Si ≦ 17 at.%)の膜を作製する。また、そのアモルファス絶縁体膜を薄膜トランジスタのゲート絶縁膜に用いる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコン(Si)酸化物を含むアモルファス絶縁体膜であって、前記絶縁体膜中にArが含有されており、該Ar含有量がSiに対して原子数比で3原子%以上であることを特徴とするアモルファス絶縁体膜。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (4件)：

H01L21/316 Y ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 618B ,  H01L27/04 C

Fターム (41件)：

5F038AC04 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AC17 ,  5F038AC18 ,  5F038AC19 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20 ,  5F058BB04 ,  5F058BB05 ,  5F058BC02 ,  5F058BF12 ,  5F058BF21 ,  5F058BJ01 ,  5F110AA12 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110BB09 ,  5F110BB20 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE15 ,  5F110EE43 ,  5F110FF02 ,  5F110FF06 ,  5F110FF07 ,  5F110FF28 ,  5F110GG04 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開平2-90568号公報
  

審査官引用 (5件)

• ゲート絶縁膜の形成方法及び薄膜トランジスタの製造方法並びに薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-093298   出願人：大日本印刷株式会社
• 画像表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-325365   出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
• 物理蒸着真空チャンバ、物理蒸着方法、薄膜デバイスおよび液晶ディスプレイ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-153104   出願人：シャープ株式会社
• 特開平2-258614
  
• 特開平4-165679