特許

J-GLOBAL ID：200903090611082961

ゲート絶縁膜の形成方法及び薄膜トランジスタの製造方法並びに薄膜トランジスタ

発明者： 市村 公二
出願人/特許権者： 大日本印刷株式会社
代理人 (1件)： 吉村 俊一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-093298
公開番号（公開出願番号）：特開2005-285830
出願日： 2004年03月26日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：

【課題】 膜特性に優れるゲート絶縁膜を低温で成膜できるゲート絶縁膜の形成方法及びそうしたゲート絶縁膜の形成工程を含む薄膜トランジスタの製造方法並びに薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】 酸化シリコンからなるゲート絶縁膜をスパッタリング法により形成するゲート絶縁膜の形成方法において、ゲート絶縁膜形成時のターゲットに対する投入電力を4W/cm2以下とし、成膜圧力を0.5Pa以上とすることにより、上記課題を解決した。また、本発明の薄膜トランジスタは、絶縁基板上に形成されたMOS型の薄膜トランジスタであって、その薄膜トランジスタを構成する酸化シリコンからなるゲート絶縁膜の界面準位密度が2×1011/cm2eV以下であり、絶縁基板がプラスチック基板である。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

酸化シリコンからなるゲート絶縁膜をスパッタリング法により形成するゲート絶縁膜の形成方法において、ゲート絶縁膜形成時のターゲットに対する投入電力が4W/cm2以下であり圧力が0.5Pa以上であることを特徴とするゲート絶縁膜の形成方法

IPC (3件)：

H01L21/336 ,  H01L21/316 ,  H01L29/786

FI (2件)：

H01L29/78 617V ,  H01L21/316 Y

Fターム (36件)：

5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BF12 ,  5F058BF39 ,  5F058BJ10 ,  5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA08 ,  5F110AA09 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF28 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110NN71 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ25

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 薄膜トランジスタの作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-317387   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

審査官引用 (4件)

• 絶縁膜の形成方法、半導体装置、製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-001042   出願人：シャープ株式会社
• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-110307   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 窒化珪素膜、並びに半導体装置及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-139390   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開昭62-261128