特許
J-GLOBAL ID：200903014927287265

物理蒸着真空チャンバ、物理蒸着方法、薄膜デバイスおよび液晶ディスプレイ

発明者：
中田 行彦

中田 行彦 について

, 
アポストロス ヴォーサス

アポストロス ヴォーサス について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-153104
公開番号（公開出願番号）：特開2002-053954
出願日： 2001年05月22日
公開日（公表日）： 2002年02月19日
要約：
【要約】【課題】 Arを含む雰囲気中で薄膜を形成しつつ、薄膜におけるAr原子の捕獲を制御する。【解決手段】 Heガスと、Ne、Ar、Kr、XeおよびRnから選択される少なくとも1つのガスとを混合してスパッタリングガス混合物を得る。スパッタリングガス混合物雰囲気中にプラズマを形成してターゲット材料から基板14へ原子をスパッタすることで、基板14上にターゲット材料の層を形成し、基板14およびその上に堆積した層をアニーリングする。チャンバ10は、ターゲット12を保持するターゲットホルダ13、基板14を保持する基板ホルダ16、走査マグネトロン18および加熱ヒーター20,21を含む。スパッタリングガス供給系23を設けて、スパッタリングガス混合物をチャンバ10に導入する。真空ポンプシステム30は、成膜の間に16mTorrより低い圧力にするためにチャンバ10内を排気するターボ分子ポンプ34を含む。
請求項（抜粋）：
ターゲットを保持するターゲットホルダと、基板を保持する基板ホルダと、プラズマ放電発生器とを備えた物理蒸着真空チャンバにおいて、上記チャンバ内にスパッタリングガスの混合物を導入するスパッタリングガス供給系と、成膜時に16mTorrより低い圧力に上記チャンバ内を排気する少なくとも1つのターボ分子ポンプを含む真空機構とを備えていることを特徴とする物理蒸着真空チャンバ。
IPC (5件)：
C23C 14/34 ,  C23C 14/14 ,  C23C 14/58 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203
FI (5件)：
C23C 14/34 M ,  C23C 14/14 A ,  C23C 14/58 A ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 S
Fターム (29件)：
4K029BA35 ,  4K029BA46 ,  4K029BA58 ,  4K029BB08 ,  4K029BB10 ,  4K029BD00 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029DA02 ,  4K029DC05 ,  4K029DC39 ,  4K029EA05 ,  4K029GA01 ,  5F052AA02 ,  5F052AA11 ,  5F052AA17 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DB07 ,  5F052JA01 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD16 ,  5F103GG03 ,  5F103HH04 ,  5F103LL13 ,  5F103NN06 ,  5F103PP03 ,  5F103RR06
引用特許：
審査官引用 (4件)
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