特許
J-GLOBAL ID：200903059360751643
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-230046
公開番号（公開出願番号）：特開2003-046064
出願日： 2001年07月30日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
要約：
【要約】【課題】 チタン酸ジルコル酸鉛(PZT)の結晶性を向上することにより、強誘電体特性を向上することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 FeRAMの製造方法は、下部電極の一部を形成するPt層4の上にPbTi層を堆積する工程と、該堆積されたPbTi層を酸化する工程と、該酸化されて形成されたPbTi層5の上にPZT層6を設ける工程と、該PZT層6の上に上部電極7を設ける工程とによる。これらの層は全てスパッタリング法により堆積される。
請求項（抜粋）：
強誘電体キャパシタを有する半導体装置の製造方法であり、下部電極の上にチタンと鉛を含む物質層を堆積する堆積工程と、前記堆積工程により堆積された物質層を酸化する酸化工程と、前記酸化工程により酸化された物質層の上にチタン酸ジルコル酸鉛層を設ける工程と、前記工程により設けられたチタン酸ジルコル酸鉛層の上に上部電極を設ける工程と、を備える半導体装置の製造方法。
Fターム (10件)：
5F083FR02
, 5F083GA21
, 5F083JA15
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA43
, 5F083MA06
, 5F083MA17
, 5F083NA08
