特許
J-GLOBAL ID：200903059366238115
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-082544
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282575
出願日： 2002年03月25日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：
【要約】【課題】 高温でも安定な低ライフタイムの所定の領域を形成する半導体装置およびその製造方法。【解決手段】 半導体基板内に重金属を拡散した後に、この半導体基板内に荷電粒子を照射し、さらに650°C以上の熱処理を加えることにより半導体基板内に低ライフタイムの所定の領域を設けることを特徴とする半導体装置の製造方法。所定の領域を形成後、650°Cまでのその後のウェーハプロセス、組立工程の熱処理または使用温度が制限されることはない。
請求項（抜粋）：
半導体基板内に重金属を拡散した後に、荷電粒子を照射し、さらに650°C以上の熱処理を加えることにより前記半導体基板内に低ライフタイムの所定の領域を設けることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/322
, H01L 21/265 602
, H01L 29/78 655
, H01L 29/861
H01L 21/322 K
, H01L 21/322 L
, H01L 21/265 602 A
, H01L 29/78 655 B
, H01L 29/91 J
