特許
J-GLOBAL ID：200903059368916692
記憶素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
角田 芳末
, 磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-371601
公開番号（公開出願番号）：特開2006-179694
出願日： 2004年12月22日
公開日（公表日）： 2006年07月06日
要約：
【課題】 抵抗を低くしても安定して確実に情報の読み出しを行うことができる記憶素子を提供する。【解決手段】 記憶層3と、この記憶層3に対して非磁性層を介して設けられた磁化固定層1とを少なくとも有し、非磁性層を通じて、記憶層3と磁化固定層1との間に電流を流すことにより情報の記録が行われ、磁性層から成り記憶層3の情報を読み出すための読み出し層2が、記憶層3と磁化固定層1との間に設けられ、この読み出し層2が記憶層3からの静磁気的な磁場或いは磁気的相互作用を受け、かつ少なくとも磁化固定層1と読み出し層3の間でスピン偏極電子によるスピントルク力が働く記憶素子を構成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層と、
前記記憶層に対して非磁性層を介して設けられ、磁化の向きが固定された磁化固定層とを少なくとも有し、
前記非磁性層を通じて、前記記憶層と前記磁化固定層との間に電流を流すことにより情報の記録が行われる記憶素子であって、
磁性層から成り、前記記憶層の情報を読み出すための読み出し層が、前記記憶層と前記磁化固定層との間に設けられ、
前記読み出し層が前記記憶層からの静磁気的な磁場或いは磁気的相互作用を受け、かつ少なくとも前記磁化固定層と前記読み出し層の間でスピン偏極電子によるスピントルク力が働く
ことを特徴とする記憶素子。
IPC (4件)：
H01L 27/105
, H01L 21/824
, G11C 11/15
, H01L 43/08
H01L27/10 447
, G11C11/15 112
, H01L43/08 Z
5F083FZ10
, 5F083GA11
, 5F083JA60
