特許
J-GLOBAL ID：200903059424238740
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-024098
公開番号（公開出願番号）：特開2005-217295
出願日： 2004年01月30日
公開日（公表日）： 2005年08月11日
要約：
【課題】 半導体チップに悪影響を及ぼさず、かつ容易に製造することができ、かつ放熱性を向上することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 本半導体パッケージの製造方法は、以下の工程を備えている。半導体チップ1の主表面1bに形成された電極9と実装基板2の表面に形成されたボンディングパッド11とを半田バンプ10を用いて電気的に接続するように、半導体チップ1が実装基板2の表面上に搭載される。半田バンプ10がアンダーフィル樹脂3により封止される。半田バンプ10がアンダーフィル樹脂3により封止された後に、半導体チップ1の主表面1aがプラズマ処理される。半導体チップ1の主表面1a上にヒートスプレッダが配置される。【選択図】 図8
請求項（抜粋）：
半導体チップの一方の主表面に形成された第1電極と基板表面に形成された第2電極とを導電材を用いて電気的に接続するように、前記半導体チップを前記基板表面上に搭載する搭載工程と、
前記導電材を樹脂により封止する封止工程と、
前記封止工程後に、前記半導体チップの他方の主表面をプラズマ処理する工程と、
前記半導体チップの前記他方の主表面上に放熱部材を配置する工程とを含む、半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/56 R
, H01L23/34 A
5F036AA01
, 5F036BA23
, 5F036BB01
, 5F036BE01
, 5F061AA01
, 5F061BA03
, 5F061CA21
