半導体集積回路装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-028313
公開番号（公開出願番号）：特開平7-240094
出願日： 1994年02月25日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：

【要約】【目的】この発明は、外部から印加される電源電位が変動しても、内部電源電位の変動を抑制できる半導体集積回路装置を提供しようとするものである。【構成】集積回路部と、電位レベルの変動がある外部印加電位VCCを、ある電位レベルで制限して降圧電位φDに降圧する降圧回路と、降圧電位φDを電源に用いて駆動され、降圧電位φDを前記集積回路部の回路の動作電源に用いられる昇圧電位φPに昇圧する昇圧回路とを具備する。この構成であると、昇圧回路が、ある電位レベルで制限された降圧電位φDにより駆動されるので、電位VCCのレベルが変動しても、昇圧回路の動作が変化し難くなる。さらに降圧電位φDから昇圧電位φPを生成するので、昇圧電位φPの定電位領域の範囲が拡がり、装置の動作マ-ジンが拡大する。

請求項（抜粋）：

集積回路部と、外部から印加され、電位レベルの変動がある第1の電位を、ある電位レベルで制限することによって電位変動が少ない定電位領域を得た第2の電位に変換する変換手段と、前記第2の電位を電源に用いて駆動され、少なくとも前記集積回路部内の回路の動作電源に用いられる第3の電位を発生させる発生手段とを具備することを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

G11C 11/407 , H01L 21/8242 , H01L 27/108

FI (2件)：

G11C 11/34 354 F , H01L 27/10 325 Q

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平2-000350
特開平3-273594
特開昭63-206815

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