特許

J-GLOBAL ID：200903059445643890

半導体装置及びその製造方法

発明者： 牧山 剛三 ,  二瓶 瑞久
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-164785
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354542
出願日： 1998年06月12日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：

【要約】【課題】 高周波特性を劣化することなく、半導体素子を水分から保護することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 素子層14が形成された下地基板10と、素子層14上に形成され、張り出し部24aを有するT型のゲート電極24と、ゲート電極24を覆うカバー膜28とを有し、ゲート電極24の張り出し部24aの下方領域に間隙26が生じている。

請求項（抜粋）：

素子層が形成された下地基板と、前記素子層上に形成され、張り出し部を有するT型のゲート電極と、前記ゲート電極を覆うカバー膜とを有し、前記ゲート電極の前記張り出し部の下方領域に間隙が生じていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/318

FI (2件)：

H01L 29/80 F ,  H01L 21/318 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 電界効果トランジスタのT型ゲートの保護膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-308056   出願人：沖電気工業株式会社
• 特開昭61-190985
  
• 特開平3-008344
  
• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-120866   出願人：株式会社東芝