特許
J-GLOBAL ID：200903059463230102

薄膜磁石ならびにR-TM-B系交換スプリング磁石およびその製造方法

発明者：
新藤 幹夫

新藤 幹夫 について

, 
佐久間 昭正

佐久間 昭正 について


出願人/特許権者：
日立金属株式会社

日立金属株式会社 について


代理人 (1件)： 大場 充
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-067584
公開番号（公開出願番号）：特開平9-237714
出願日： 1996年03月25日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、大きな磁化を持つことで大きな最大エネルギ-積を有する薄膜磁石ならびにR-TM-B系交換スプリング磁石およびその製造方法を提供するものである。【解決手段】 S層(磁化の大きさが1.3T以上である軟磁性層)およびH層(10〜20at%のR(RはYを含む希土類元素の内少なくとも1種)、5〜20at%のB、残部TM(TMはFeまたはFeの一部をCoで置換したもの)及び不可避的な不純物を含む硬磁性層)を1層または2層以上積層したR-TM-B系交換スプリング磁石。
請求項（抜粋）：
S層(磁化の大きさが1.3T以上である軟磁性層)およびH層(10〜20at%のR(RはYを含む希土類元素の内少なくとも1種)、5〜20at%のB、残部TM(TMはFeまたはFeの一部をCoで置換したもの)及び不可避的な不純物を含む硬磁性層)を積層したことを特徴とする薄膜磁石。
IPC (2件)：
H01F 10/14 ,  H01F 41/22
FI (2件)：
H01F 10/14 ,  H01F 41/22
引用特許：
審査官引用 (5件)
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