特許
J-GLOBAL ID：200903059466081434

半導体検査装置

発明者：
森 親臣

森 親臣 について


出願人/特許権者：
日本電子材料株式会社

日本電子材料株式会社 について


代理人 (1件)： ▲吉▼川 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-148376
公開番号（公開出願番号）：特開2008-298749
出願日： 2007年06月04日
公開日（公表日）： 2008年12月11日
要約：
【課題】検査時の温度変化によるプローブ先端の位置ずれ量を少なくするために、プローブカード基板を加熱し、その熱膨張量を制御することが可能な半導体検査装置を提供することを目的とする。【解決手段】検査対象物にコンタクトする複数のプローブおよび上記プローブが接合されたプローブカード基板を備えた半導体検査装置であり、上記プローブの先端の位置を、予め上記検査対象物が冷却されて収縮した位置に合わせて設定し、上記プローブカード基板を加熱し熱変形させるための発熱体を上記プローブカード基板内部に層状に設け、任意の温度において、上記検査対象物と上記プローブ先端の位置ずれ量を小さくするために、上記発熱体による加熱量を制御する加熱制御手段を備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
検査対象物にコンタクトする複数のプローブおよび上記プローブが接合されたプローブカード基板を備えた半導体検査装置であって、 上記プローブの先端の位置を、予め上記検査対象物が冷却されて収縮した位置に合わせて設定し、上記プローブカード基板を加熱し熱変形させるための発熱体を上記プローブカード基板内部に層状に設け、任意の温度において、上記検査対象物と上記プローブ先端の位置ずれ量を小さくするために、上記発熱体による加熱量を制御する加熱制御手段を備えることを特徴とする半導体検査装置。
IPC (3件)：
G01R 31/28 ,  G01R 1/073 ,  H01L 21/66
FI (3件)：
G01R31/28 K ,  G01R1/073 E ,  H01L21/66 H
Fターム (21件)：
2G011AA17 ,  2G011AB06 ,  2G011AB07 ,  2G011AB10 ,  2G011AC06 ,  2G011AC14 ,  2G011AE03 ,  2G011AF07 ,  2G132AA00 ,  2G132AF06 ,  2G132AF20 ,  2G132AL03 ,  4M106AA01 ,  4M106BA01 ,  4M106BA14 ,  4M106CA27 ,  4M106CA60 ,  4M106CA62 ,  4M106DH44 ,  4M106DH45 ,  4M106DJ07
引用特許：
審査官引用 (5件)
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