特許
J-GLOBAL ID：200903059488328913
CMP用スラリー、研磨方法、および半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-173263
公開番号（公開出願番号）：特開2005-011932
出願日： 2003年06月18日
公開日（公表日）： 2005年01月13日
要約：
【課題】エロージョンやスクラッチを抑えることができるとともに、硬さの異なる2種類以上の材料からなる被研磨面も、同等の実用的な速度で研磨可能なCMP用スラリーを提供する。【解決手段】一次粒子径が5nm以上30nm以下の第1コロイダル粒子と、一次粒子径が第1コロイダル粒子を越える大きさで、前記第1のコロイダル粒子と同一材料の第2コロイダル粒子とを含み、下記数式で表わされる関係を満たすことを特徴とする。3≦d2/d1≦8 (1)0.9<w1/(w1+w2)≦0.97 (2)(上記数式中、d1及びd2は、夫々第1及び第2のコロイダル粒子の平均粒子径であり、w1及びw2は、夫々スラリー中に含有されている第1及び第2のコロイダル粒子の重量である。)【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
一次粒子径が5nm以上30nm以下の第1コロイダル粒子と、一次粒子径が第1コロイダル粒子を越える大きさで、前記第1のコロイダル粒子と同一材料の第2コロイダル粒子とを含み、下記数式で表わされる関係を満たすことを特徴とするCMP用スラリー。
3≦d2/d1≦8 (1)
0.9<w1/(w1+w2)≦0.97 (2)
(上記数式中、d1およびd2は、それぞれ第1および第2のコロイダル粒子の平均粒子径であり、w1およびw2は、それぞれスラリー中に含有されている第1のおよび第2のコロイダル粒子の重量である。)
IPC (3件)：
H01L21/304
, B24B37/00
, C09K3/14
H01L21/304 622D
, H01L21/304 622X
, B24B37/00 H
, C09K3/14 550D
3C058AA07
, 3C058AC04
, 3C058CB01
, 3C058DA17
