特許
J-GLOBAL ID：200903059493546880

半導体装置およびその製造方法

発明者：
若宮 亙

若宮 亙 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-200037
公開番号（公開出願番号）：特開平10-050825
出願日： 1996年07月30日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：
【要約】【課題】 パターニングのための寸法的な余裕を不要にすることにより、高集積化を図りやすい半導体装置の構造およびその製造方法を提供する。【解決手段】 層間絶縁膜上に横に延びる第1配線部8a,8cとコンタクトホール内に埋め込まれた第2配線部8b,8dとが、それぞれの対応する側面同士が同一面内において互いに連続するように形成されている。この構造は、溝形状の開口パターンを有する第1レジスト膜と、この溝形状の開口パターンの所定の領域を開口領域内に含む開口パターンを有する第2レジスト膜とをマスクとするパターニングにより、自己整合的に形成される。
請求項（抜粋）：
主表面に活性領域が形成された半導体基板と、前記主表面を覆い、前記活性領域に通ずるコンタクトホールを含む層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の上に延在する第1配線部およびこの第1配線部の下面側から下方に向けて連続して前記コンタクトホール内に設けられ、前記活性領域に電気的に接続される第2配線部を有する配線層と、を備え、前記配線層の長手方向に延びる前記第1配線部および前記第2配線部のそれぞれの対応する側面同士が、同一面内において互いに連続するように形成された、半導体装置。
引用特許：
審査官引用 (4件)
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