特許

J-GLOBAL ID：200903059497704316

球状単結晶シリコンの製造方法

発明者： 栗林 一彦 ,  青山 智胤
出願人/特許権者： 宇宙科学研究所長
代理人 (1件)： 小倉 亘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-156689
公開番号（公開出願番号）：特開2002-348194
出願日： 2001年05月25日
公開日（公表日）： 2002年12月04日
要約：

【要約】【目的】 過冷度ΔTの適正管理によってシリコン液滴から高品位の球状単結晶シリコンを作製する。【構成】 過冷したシリコン液滴から凝固核を生成させて球状単結晶シリコンを作製する際、シリコン液滴の臨界過冷度ΔTcr及び直径dが(d=5mm,ΔTcr=100K),(d=3mm,ΔTcr=120K),(d=1mm,ΔTcr=150K)を満足するように、シリコン液滴の直径dに応じて臨界過冷度ΔTcrを設定する。臨界過冷度ΔTcr以下の過冷度ΔTに保持したシリコン液滴から成長した結晶は、クラックや双晶の少ない高品位球状単結晶シリコンとなる。

請求項（抜粋）：

過冷したシリコン液滴から凝固核を生成させて球状単結晶シリコンを作製する際、シリコン液滴の臨界過冷度ΔTcr及び直径dが(d=5mm,ΔTcr=100K),(d=3mm,ΔTcr=120K),(d=1mm,ΔTcr=150K)を満足するように、シリコン液滴の直径dに応じて臨界過冷度ΔTcrを設定することを特徴とする球状単結晶シリコンの製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/06 ,  H01L 21/208

FI (2件)：

C30B 29/06 Z ,  H01L 21/208 Z

Fターム (10件)：

4G077AA01 ,  4G077BA04 ,  4G077CD10 ,  4G077EA02 ,  4G077HA06 ,  5F053AA50 ,  5F053DD01 ,  5F053FF10 ,  5F053GG10 ,  5F053LL10

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 微小重力環境下での過冷却凝固を利用した単結晶材料の合成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-209693   出願人：工業技術院長, 皆川秀紀, 下川勝義, 鈴木良和
• 過冷現象を示す生成物の結晶化パール及びその製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-088560   出願人：ローヌ-プーラン・シミ
• 特開昭63-050388
  
• 自由落下液滴の衝突凝固による高品質結晶材料の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-273814   出願人：工業技術院長, 奥谷猛, 永井秀明, 皆川秀紀, 中田善徳, 鶴江孝, 折橋正樹