特許

J-GLOBAL ID：200903059512035590

感受性表面上にナノラミネート薄膜を堆積するための方法

発明者： エレルス カイ-エリク ,  ハウッカ スビ ペー. ,  サニーラ ビッレ アンテロ ,  カイピオ サリ ヨハンナ ,  ソイニネン ペッカ ユハ
出願人/特許権者： エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 三枝 英二 (外8名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-531142
公開番号（公開出願番号）：特表2003-524888
出願日： 2000年10月16日
公開日（公表日）： 2003年08月19日
要約：

【要約】本発明は、攻撃的化学物質から、コンフォーマルな金属窒化物、金属炭化物および金属薄膜を成長させるための手段、ならびにこれらの膜を組み込むナノラミネート構造を提供する。腐食性化合物(例えば、ハロゲン化水素)の量は、種々の表面(例えば、金属および酸化物)上においての遷移金属、遷移金属炭化物および遷移金属窒化物薄膜の堆積の間に、減少される。ゲッター化合物は、ハロゲン化水素およびハロゲン化アンモニウムに感受性の表面(例えば、アルミニウム、銅、酸化ケイ素および堆積される層)を腐食から保護する。金属窒化物(例えば、窒化チタン(30)および窒化タングステン(40))および金属炭化物を組み込むナノラミネート構造(20)、ならびにそれを形成するための方法がまた、開示される。

請求項（抜粋）：

原子層堆積(ALD)タイププロセスにより反応空間内の基体上に伝導性ナノラミネート構造を形成するための方法であって、該ナノラミネート構造が、少なくとも1つの金属化合物層を含む少なくとも2つの隣接する薄膜層を含み、ここで、各薄膜層が隣接する薄膜層とは異なる相である、方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 A

Fターム (19件)：

4K030AA03 ,  4K030AA04 ,  4K030AA05 ,  4K030AA13 ,  4K030AA24 ,  4K030BA38 ,  4K030BB13 ,  4K030CA04 ,  4K030EA03 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030HA15 ,  4K030LA15 ,  5F045AA00 ,  5F045AB40 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19

引用特許：

審査官引用 (2件)

• バリア膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-225711   出願人：日本真空技術株式会社
• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-228924   出願人：日本電気株式会社