特許
J-GLOBAL ID：200903059541845186
半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮越 典明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-016027
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216152
出願日： 1999年01月25日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：
【要約】【課題】 CVDによりポリパラキシリレンを成膜する際、成膜レートを向上させる。【解決手段】 導入ガスの圧力と流速を高めるため、導入ガスのガス吹き出し口の径を、前記導入ガスの配管の径より狭めた。また、原料の入ったボトルもしくは原料を分離するための炉内に、原料ガスと反応しないガスを導入した。前記原料ガスと反応しないガスとしてAr、He、もしくはN2を用いた。
請求項（抜粋）：
CVD法によりポリパラキシリレン膜を成膜する半導体装置の製造装置において、キシリレンのモノマーガスを成膜室内部に導入する際に、断熱膨張現象を利用して前記キシリレンのモノマーガスを冷却する機構を有することを特徴とする半導体装置の製造装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/312 A
, C08G 61/02
4J032CA06
, 4J032CB01
, 4J032CE20
, 4J032CF08
, 4J032CG01
, 5F058AA10
, 5F058AC10
, 5F058AF01
, 5F058AF10
