低誘電率の多層膜を堆積するための方法及び装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-343564
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189569
出願日： 1997年11月07日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】比誘電率が低い絶縁膜を提供する。【解決手段】基板上のパリレン等の各有機材料層間に、多数の炭素ベースの層を形成する。炭素ベースの層は、高密度プラズマ化学気相堆積システムを用いて形成されるのが好ましいが、他のCVDシステムを用いてもよい。結果として、全体としての比誘電率が低く、卓越したギャップ埋め込み特性を有し、望ましい熱特性を有する多層絶縁膜が得られる。

請求項（抜粋）：

基板上に絶縁膜を形成する方法であって、(a)前記基板上に炭素ベースの膜を形成するステップと、(b)前記炭素ベースの膜上にポリマー膜を形成するステップと、(c)前記ステップ(a)及び前記ステップ(b)を、所望の厚さを有する多層絶縁膜が前記基板上に堆積されるまで繰り返すステップと、(d)前記絶縁膜上に最終的な炭素ベースの膜キャップを形成するステップと、を有する方法。

IPC (2件)：

H01L 21/314 , H01L 21/31

FI (2件)：

H01L 21/314 M , H01L 21/31 C

引用特許：

審査官引用 (15件)

特開昭56-049530
特開昭56-049530
特開昭56-017024

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