特許
J-GLOBAL ID：200903059548466326

半導体レーザ装置及びその製造方法

発明者：
塩本 武弘

塩本 武弘 について

, 
本多 正行

本多 正行 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 倉内 義朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-112770
公開番号（公開出願番号）：特開2002-314185
出願日： 2001年04月11日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：
【要約】【課題】ヘッダー部におけるサイドビームの反射が光ピックアップの諸特性に悪影響を及ぼすといったことのない、しかも生産性に優れた半導体レーザ装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】レーザビームLを出射するレーザチップ4が載置されたヘッダー部3の先端面32であって、反射±1次ビームより生じ光学系を経て帰還する2つのサイドビームL S1,L S2のうちヘッダー部3に向かって帰還するサイドビームL S2が入射してくるサイドビーム入射領域35に、該サイドビームL S2を光学系外に向けて反射する反射体7を取り付た。
請求項（抜粋）：
1つのレーザビームを光学系で0次ビームと±1次ビームの3つのビームに分けて光学式記録媒体に向け照射し、該媒体から反射される反射0次ビーム及び反射±1次ビームより該媒体に記録された情報の検出や該検出時のトラッキングエラー情報の検出等を行う3ビーム方式の光ピックアップに用いられる半導体レーザ装置において、前記レーザビームを出射するレーザチップが載置されたヘッダー部の先端面であって、前記反射±1次ビームより生じ前記光学系を経て帰還する2つのサイドビームのうちヘッダー部に向かって帰還するサイドビームが入射してくるサイドビーム入射領域に、該サイドビームを前記光学系外に向けて反射する反射体が取り付けられたことを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (3件)：
H01S 5/022 ,  G11B 7/09 ,  G11B 7/125
FI (3件)：
H01S 5/022 ,  G11B 7/09 C ,  G11B 7/125 A
Fターム (22件)：
5D118AA06 ,  5D118AA22 ,  5D118BA01 ,  5D118CD03 ,  5D118CF16 ,  5D118CG04 ,  5D118CG33 ,  5D118CG44 ,  5D119AA20 ,  5D119AA38 ,  5D119BA01 ,  5D119BB01 ,  5D119FA05 ,  5D119FA30 ,  5D119NA04 ,  5F073AB27 ,  5F073AB29 ,  5F073BA04 ,  5F073EA26 ,  5F073FA17 ,  5F073FA21 ,  5F073FA27
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (7件)
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