特許
J-GLOBAL ID：200903059581258798

基板処理装置および基板処理方法

発明者：
松原 俊夫

松原 俊夫 について

, 
佐藤 宏行

佐藤 宏行 について

, 
内島 秀人

内島 秀人 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (10件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-307060
公開番号（公開出願番号）：特開2006-120853
出願日： 2004年10月21日
公開日（公表日）： 2006年05月11日
要約：
【課題】 基板処理をウエハ面内で均一に行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】 基板処理装置は、減圧可能な反応室と、貫通孔10、11’、11が形成されたガス拡散プレート9を有し、反応室の内部に処理ガスを供給するシャワーヘッドと、基板を設置するための基板支持部とを備えている。ガス拡散プレート9の周辺領域に設けられた貫通孔11’、11は入口部分の面積が出口部分の面積よりも大きくなっている。この装置を用いれば、処理ガスをガス拡散プレート内で均一に供給できるので、膜の堆積や膜のエッチングなどの基板処理を均一に行うことができる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
処理ガスを用いて基板を処理するための反応室と、 前記処理ガスを通すための複数の貫通孔が形成された板状のガス拡散プレートを有し、前記反応室の内部に前記処理ガスを供給するシャワーヘッドと、 前記反応室内に設けられ、前記基板を前記ガス拡散プレートに対向する状態で設置するための基板支持部とを備え、 前記複数の貫通孔のうち、前記ガス拡散プレートの周辺領域に設けられた貫通孔は、入口部分の面積が出口部分の面積よりも大きくなっていることを特徴とする基板処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/306
FI (3件)：
H01L21/205 ,  C23C16/455 ,  H01L21/302 101B
Fターム (17件)：
4K030AA01 ,  4K030AA14 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030EA05 ,  4K030EA06 ,  4K030FA10 ,  4K030KA45 ,  4K030LA15 ,  5F004AA01 ,  5F004BA04 ,  5F004BC08 ,  5F004BD01 ,  5F045BB02 ,  5F045DP03 ,  5F045EF05 ,  5F045EF07
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)
  • 処理装置および処理方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-306437   出願人：東京エレクトロン株式会社
  • 半導体製造装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-131477   出願人：NECエレクトロニクス株式会社
  • 成膜装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-153056   出願人：株式会社東芝

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