特許
J-GLOBAL ID：200903059592015900
薄膜太陽電池モジュールの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-307039
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340814
出願日： 1999年10月28日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：
【要約】【課題】 第2電極層のスクライブと同時に除去される半導体の露出面での不要な電流パスを低減して、効率の高い薄膜太陽電池モジュールを製造できる方法を提供する。【解決手段】 基板(1)上に形成された第1電極層(2)の一部を除去し、複数の単位素子に対応して、第1電極層を分割する工程と、第1電極層上に半導体層(4)を形成する工程と、半導体層の一部を除去し、複数の単位素子に対応して、半導体層に第1電極層との接続用開口部を設ける工程と、半導体層上に第2電極層(6)を形成する工程と、接続用開口部の近傍において第2電極層および半導体層の一部を除去し、複数の単位素子に対応して、第2電極層および半導体層を分割する工程と、第2電極層および半導体層の残滓を除くことにより半導体層の端部を露出させる工程と、130°C以上の温度で熱処理する工程と有する。
請求項（抜粋）：
基板と、基板上で直列に接続された複数の単位素子とを有し、各単位素子が基板上に積層された第1電極層、半導体層および第2電極層を含む薄膜太陽電池モジュールを製造する方法であって、基板上に形成された第1電極層の一部を除去し、複数の単位素子に対応して、第1電極層を分割する工程と、第1電極層上に半導体層を形成する工程と、半導体層の一部を除去し、複数の単位素子に対応して、半導体層に第1電極層との接続用開口部を設ける工程と、半導体層上に第2電極層を形成する工程と、接続用開口部の近傍において第2電極層および半導体層の一部を除去し、複数の単位素子に対応して、第2電極層および半導体層を分割する工程と、第2電極層および半導体層の残滓を除くことにより半導体層の端部を露出させる工程と、130°C以上の温度で熱処理する工程とを具備したことを特徴とする薄膜太陽電池モジュールの製造方法。
Fターム (15件)：
5F051AA05
, 5F051CA15
, 5F051CB24
, 5F051DA04
, 5F051EA03
, 5F051EA09
, 5F051EA10
, 5F051EA11
, 5F051EA16
, 5F051EA18
, 5F051FA02
, 5F051FA03
, 5F051GA03
, 5F051JA04
, 5F051JA05
