特許

J-GLOBAL ID：200903059621355864

シリコンウェーハの前処理方法及び熱処理方法並びにシリコンウェーハ

発明者： 中田 嘉信 ,  伊藤 亘 ,  白木 弘幸
出願人/特許権者： 三菱住友シリコン株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-170090
公開番号（公開出願番号）：特開2002-367920
出願日： 2001年06月05日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：

【要約】【課題】 シリコンウェーハの表面の酸化膜を除去して熱処理を繰り返しても石英チューブに曇りを生じにくくして長期にわたって熱処理を良好に行うことを可能にする。【解決手段】 熱処理前のシリコンウェーハの表面を、HF(フッ酸)によって洗浄し、シリコンウェーハの表面のSiに結合している酸素をH(水素)と置換して、シリコンウェーハの表面の酸化膜を除去する。

請求項（抜粋）：

シリコンウェーハに光線を照射して熱処理を施す前に行うシリコンウェーハの前処理方法であって、熱処理前のシリコンウェーハの表面をフッ酸によって洗浄してその表面のケイ素に結合した酸素を水素と置換することを特徴とするシリコンウェーハの前処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/26 ,  H01L 21/306

FI (2件)：

H01L 21/26 F ,  H01L 21/306 B

Fターム (5件)：

5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043BB27 ,  5F043DD02 ,  5F043GG10

引用特許：

審査官引用 (2件)

• シリコン基板の高速昇降温処理(RTP)方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平11-506272   出願人：シュテアクエルテーペーシステムズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
• シリコンウエーハの熱処理方法及びシリコンウエーハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-279367   出願人：信越半導体株式会社