シリコン基板の高速昇降温処理(RTP)方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢野敏雄 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-506272
公開番号（公開出願番号）：特表2000-513508
出願日： 1998年06月25日
公開日（公表日）： 2000年10月10日
要約：

【要約】非常に低い分圧の反応性ガスを使用してシリコン表面上でのエッチングおよび酸化膜の成長を制御する、シリコン基板の高速昇降温処理(RTP)の方法を開示している。

請求項（抜粋）：

シリコン基板の高速昇降温処理によって後酸化アニールをせずに超薄酸化膜を製造するための方法において、0〜5nmの酸化膜を有するシリコン基板を、0.01トル〜3トルの範囲の分圧を有する酸素含有反応性ガスの濃度を有する雰囲気下でRTP装置中で酸化膜の厚さが僅かに増加し、0.5〜5nmの範囲になるまで処理することを特徴とする超薄酸化膜の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平4-152518
ゲート絶縁膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-128441 出願人：ソニー株式会社
絶縁膜形成装置及び絶縁膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-087957 出願人：ソニー株式会社

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