シリコンウエーハの熱処理方法及びシリコンウエーハ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：好宮幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-279367
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091342
出願日： 1998年09月14日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】シリコンウエーハをRTA装置を用いて、還元性雰囲気下で熱処理する方法に関し、特にウエーハ表面のマイクロラフネスを小さくして酸化膜耐圧やキャリアの移動度等の電気特性を改善すると共にスリップ転位の発生や重金属汚染を抑え、歩留りと生産性の向上並びにコストダウンを図る。【解決手段】急速加熱・急速冷却装置を用いてシリコンウエーハを水素を含む還元性雰囲気下で熱処理する方法において、該シリコンウエーハ表面上の自然酸化膜を除去した後、急速加熱・急速冷却装置を用いて、水素濃度100%あるいは水素を10%以上含有する不活性ガス雰囲気下で熱処理することを特徴とするシリコンウエーハの熱処理方法。

請求項（抜粋）：

急速加熱・急速冷却装置を用いてシリコンウエーハを還元性雰囲気下で熱処理する方法において、該シリコンウエーハ表面上の自然酸化膜を除去した後、急速加熱・急速冷却装置を用いて、水素100%あるいは水素を10%以上含有するアルゴンおよび/または窒素との混合ガス雰囲気下で熱処理することを特徴とするシリコンウエーハの熱処理方法。

FI (2件)：

H01L 21/324 X , H01L 21/324 Z

引用特許：

審査官引用 (5件)

シリコン基板の熱処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-182612 出願人：新日本製鐵株式会社
シリコンウエーハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-090135 出願人：東芝セラミックス株式会社, 新潟東芝セラミックス株式会社
半導体基材の加工方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-016524 出願人：キヤノン株式会社

全件表示

前のページに戻る