ポジ型レジスト材料

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中本宏 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-294009
公開番号（公開出願番号）：特開平6-118651
出願日： 1992年10月08日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：

【要約】【目的】高感度、高解像性、プロセス適用性に優れた化学増幅型シリコーン系ポジ型レジスト材料を提供する。【構成】一般式(化1):【化1】(式中x+m=1、x>0、n=1、2又は3)のシリコーンポリマー、及び一般式(化2):(R)p AM〔Rは同一又は異なり、(置換)芳香族基、AはS又はI、Mはトルエンスルホネート又はトリフルオロメタンスルホネート、p=2又は3)のオニウム塩を含有する、レジスト材料。

請求項（抜粋）：

下記一般式(化1):【化1】(式中x、mはx+m=1となる数でありxが0になることはない。またnは1〜3の正の整数である)で表されるシリコーンポリマー(A)、オニウム塩(B)の2成分を含む、アルカリ水溶液で現像可能な高エネルギー線感応ポジ型レジストにおいて、該オニウム塩(B)が下記一般式(化2):【化2】(R)p AM(式中Rは同じでも異なってもよく芳香族基あるいは置換芳香族基を示し、Aはスルホニウムあるいはヨードニウムを示す。Mはトルエンスルホネート基あるいはトリフルオロメタンスルホネート基を示し、pは2又は3を示す)で表されるオニウム塩であることを特徴とするレジスト材料。

IPC (7件)：

G03F 7/039 501 , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 503 , G03F 7/029 , G03F 7/075 511 , G03F 7/075 521 , H01L 21/027

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平2-085859
特開平3-044645
酸感応ポリマおよびホトレジスト構造の作成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-210073 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

全件表示

前のページに戻る