特許
J-GLOBAL ID：200903059641897442

サファイア基板上超電導酸化物多層薄膜及びその作製方法

発明者：
デベロス カテリン

デベロス カテリン について

, 
山崎 裕文

山崎 裕文 について


出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-322439
公開番号（公開出願番号）：特開2008-140789
出願日： 2006年11月29日
公開日（公表日）： 2008年06月19日
要約：
【課題】高臨界電流密度であり、かつ、クラックの生じない高温超電導酸化物(RE)Ba2Cu3O7 (RE = Y, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Ho, Er, Yb)(以下 (RE)BCO 薄膜と略称)の薄膜及びその作製方法を提供する。【解決手段】バッファ層を有するサファイア単結晶基板のバッファ層上に、1%以上の空孔を導入した高温超電導酸化物 (RE)BCO 薄膜を、間に (RE)BCO 薄膜とは異なるRE’を選んだ (RE’)Ba2Cu3O7の中間層薄膜を介して設けた多層構造の(RE)BCO 薄膜及びその製造方法。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
バッファ層を有するサファイア単結晶基板のバッファ層上に、1%以上の空孔を導入した高温超電導酸化物 (RE)Ba2Cu3O7 (RE = Y, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Ho, Er, Yb) 薄膜(以下 (RE)BCO 薄膜と略称)を、間に (RE)BCO 薄膜とは異なるRE’を選んだ(RE’)Ba2Cu3O7の中間層薄膜を介して設けた多層構造の(RE)BCO 薄膜。
IPC (8件)：
H01L 39/24 ,  H01B 12/06 ,  H01B 13/00 ,  C30B 29/22 ,  C30B 23/08 ,  C23C 14/08 ,  C01G 1/00 ,  B32B 18/00
FI (8件)：
H01L39/24 D ,  H01B12/06 ,  H01B13/00 565D ,  C30B29/22 501M ,  C30B23/08 Z ,  C23C14/08 K ,  C01G1/00 S ,  B32B18/00 A
Fターム (47件)：
4F100AA17C ,  4F100AC10E ,  4F100BA04 ,  4F100BA05 ,  4F100GB41 ,  4F100JG02A ,  4F100JG02B ,  4F100JG02C ,  4F100JK11D ,  4G047JA04 ,  4G047JC02 ,  4G047KF04 ,  4G047KG05 ,  4G077AA07 ,  4G077AB10 ,  4G077BC53 ,  4G077DA03 ,  4G077ED06 ,  4G077EF01 ,  4G077EF02 ,  4G077EH01 ,  4G077FE03 ,  4G077GA10 ,  4G077HA08 ,  4G077SB10 ,  4K029AA04 ,  4K029BA43 ,  4K029BA50 ,  4K029BB02 ,  4K029BC04 ,  4K029CA01 ,  4K029DB05 ,  4K029DB20 ,  4K029FA06 ,  4M113AD35 ,  4M113AD36 ,  4M113BA04 ,  4M113CA34 ,  5G321AA02 ,  5G321AA04 ,  5G321BA04 ,  5G321CA03 ,  5G321CA05 ,  5G321CA21 ,  5G321CA24 ,  5G321CA27 ,  5G321DB37
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示
引用文献：
審査官引用 (1件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM