サファイア基板上高臨界面電流超電導酸化物薄膜及びその作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-111564
公開番号（公開出願番号）：特開2005-290528
出願日： 2004年04月05日
公開日（公表日）： 2005年10月20日
要約：

【課題】サファイア基板上に、比較的厚く、かつ、高臨界電流密度の (RE)Ba2Cu3O7(ここで、RE は、 Y, Nd, Sm,Eu, Gd, Dy, Ho, Er, Ybから選ばれる1種の原子)((RE)BCO と省略)薄膜をクラックなしに作製することにより高臨界面電流超電導酸化物薄膜及びその製造方法を提供する。【解決手段】サファイア単結晶のR面(1102)またはA面(1120)から意図的に数度ずらしてカット・研磨したオフカット基板を用い、同基板の上にバッファ層を作製し、その上に(RE)BCO薄膜を作製した高臨界面電流超電導酸化物薄膜及びその製造方法。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

サファイア単結晶のR面(1102)またはA面(1120)から意図的に数度ずらしてカット・研磨したオフカット基板、バッファ層、 (RE)Ba2Cu3O7 (ここで、RE は、 Y, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Ho, Er, Ybから選ばれる1種の原子)薄膜からなる高臨界面電流超電導酸化物薄膜。

IPC (5件)：

C23C14/08 , C01G1/00 , C01G3/00 , C30B29/22 , H01L39/24

FI (5件)：

C23C14/08 K , C01G1/00 S , C01G3/00 , C30B29/22 501K , H01L39/24 B

Fターム (30件)：

4G047JA04 , 4G047JC02 , 4G047KE02 , 4G047KG01 , 4G047KG02 , 4G047KG04 , 4G077AA03 , 4G077BC53 , 4G077DA03 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077HA08 , 4G077SA04 , 4K029AA07 , 4K029AA24 , 4K029BA43 , 4K029BA50 , 4K029BB02 , 4K029BC04 , 4K029BD00 , 4K029CA01 , 4K029DB20 , 4M113AD35 , 4M113AD36 , 4M113AD37 , 4M113AD40 , 4M113BA04 , 4M113BA11 , 4M113BA23 , 4M113CA34

引用特許：

審査官引用 (7件)

基板の表面に形成されたエピタキシャル薄膜及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-275891 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
サファイア基板への酸化物超伝導薄膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-223220 出願人：科学技術振興事業団
特開平4-271183

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