特許
J-GLOBAL ID：200903059666618190
高温霧状硫酸による半導体基板の洗浄方法及び洗浄装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
岩見谷 周志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-276640
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091288
出願日： 1998年09月11日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：
【要約】【課題】 半導体製造工程で生じるシリコンウェーハの有機汚染を炭素濃度で2×1013atoms/cm2以下に、またCu、Fe等の金属汚染を5×109atoms/cm2以下に数分の短時間で低減することができる洗浄方法及び装置を提供する。【解決手段】 半導体基板を高温の霧状硫酸を含む雰囲気中に保持し、基板面を硫酸で濡れた状態に保つ工程を有する、半導体用基板の洗浄方法。
請求項（抜粋）：
半導体基板を高温の霧状硫酸を含む雰囲気中に保持し、基板面を硫酸で濡れた状態に保つ工程を有する、半導体用基板の洗浄方法。
引用特許：
審査官引用 (5件)
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半導体基板の洗浄方法および洗浄装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-007893
出願人：株式会社東芝, 株式会社ピュアレックス, 東芝セラミックス株式会社
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基板表面処理装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平4-108970
出願人：大日本スクリーン製造株式会社
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特開平4-348029
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