特許

J-GLOBAL ID：200903059706214445

半導体装置の製造方法

発明者： 村岡 浩一 ,  國島 巌 ,  西野 弘剛
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-039272
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330248
出願日： 1996年02月27日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【課題】TiSi2 層にダメージを与えずに、TiSi2 層の表面のSiO2 層を除去すること。【解決手段】TiSi2 層6上に形成されたSiO2 層7を無水弗化水素ガスを用いて除去する工程と、SiO2 層7の除去の際にTiSi2 層6上に形成されたTiFx 層8を加熱して除去する工程とを有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

シリサイド層の表面に形成された酸化物を無水弗化水素ガスを用いて除去する酸化物除去工程と、前記酸化物の除去の際に前記シリサイド層上に形成された弗化物を加熱して除去する弗化物除去工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (5件)：

H01L 21/28 B ,  H01L 21/28 301 S ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 F

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-079319   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平3-253032
  
• SiO2 膜のエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-098895   出願人：東京エレクトロン株式会社, 堀池靖浩