特許
J-GLOBAL ID：200903059754175737
加熱処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-228643
公開番号（公開出願番号）：特開2000-047398
出願日： 1998年07月29日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：
【要約】【課題】 レジスト液の膜厚の不均一および回路パターンの線幅の変動の指標である支持ピンの転写を防止することができる加熱処理装置を提供すること。【解決手段】 レジスト液が塗布された基板Gを露光処理および現像処理に先立って加熱する加熱処理装置は、レジスト液が塗布された基板Gを輻射熱により加熱するための加熱プレート72と、搬入された基板Gを昇降して加熱プレート72上方の加熱位置に配置するためのリフトピン74と、加熱プレート72上に固定され、加熱プレートから微小間隔をおいて基板Gを支持するための支持ピン73とを具備し、支持ピン73は、支持ピン73を介して熱伝導により基板Gに供給される単位面積あたりの熱量と、加熱プレート72から輻射により基板に供給される単位面積あたり熱量との差が小さくなるような、好ましくは略同等なるような熱伝導率の材料で構成されている。
請求項（抜粋）：
レジスト液が塗布された基板を露光処理および現像処理に先立って加熱する加熱処理装置であって、レジスト液が塗布された基板を輻射熱により加熱するための加熱プレートと、搬入された基板を昇降して加熱プレート上方の加熱位置に配置するためのリフトピンと、前記加熱プレート上に固定され、加熱プレートから微小間隔をおいて基板を支持するための支持ピンとを具備し、前記支持ピンは、前記支持ピンを介して熱伝導により基板に供給される単位面積あたりの熱量と、前記加熱プレートから輻射により基板に供給される単位面積あたり熱量との差が小さくなるような熱伝導率を有することを特徴とする加熱処理装置。
IPC (4件)：
G03F 7/38 501
, G03F 7/38 511
, H01L 21/265
, H01L 21/027
G03F 7/38 501
, G03F 7/38 511
, H01L 21/265 602 A
, H01L 21/30 567
2H096DA01
, 2H096FA01
, 2H096GB03
, 5F046KA04
, 5F046KA07
