特許

J-GLOBAL ID：200903059790019318

酸化スズインジウムの反応性イオンエッチング方法

発明者： レン-ユアン ツォウ
出願人/特許権者： フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-005825
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283481
出願日： 1994年01月24日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：

【要約】【目的】 従来方法の欠点を有さない、基板上に堆積したITO 薄層の新規であり改善されたエッチング方法を提供する。【構成】 基板1上に堆積した酸化スズインジウム薄層3を、解離した臭化水素または、解離した臭化水素と解離した三塩化ホウ素との混合物を含むプラズマ中で反応性イオンエッチング処理する。

請求項（抜粋）：

酸化スズインジウムの層をプラズマ中で反応性イオンエッチング処理することを含む、基板上に堆積した酸化スズインジウムの薄層をエッチングする方法において、プラズマが解離した臭化水素を含むことを特徴とする酸化スズインジウム(ITO)の反応性イオンエッチング方法。

IPC (4件)：

H01L 21/302 ,  C01G 19/00 ,  C23F 4/00 ,  G02F 1/1343

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-259184
  
• 特開平4-288828
  
• ドライエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-149146   出願人：松下電器産業株式会社
• ITOのエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-303900   出願人：株式会社日立製作所