窒化物半導体成長基板

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-359857
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231647
出願日： 2001年11月26日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：

【要約】【課題】窒化物半導体基板において、保護膜とそれ以外の領域との識別を容易にし、窒化物半導体層を成長後の保護膜の認識を容易にし、基板上に形成する発光ダイオード、レーザ素子等の製造工程の正確性及び効率向上に期待できる窒化物半導体基板を提供する。【解決手段】窒化物半導体と異なる異種基板上に窒化物半導体層を成長させ、その後、特定の波長光のみ透過させるミラー特性を有する保護膜を形成し、その上に窒化物半導体層を形成することにより、後工程において認識性のいい窒化物半導体基板を形成する。

請求項（抜粋）：

窒化物半導体が成長可能な異種基板上に、下地層となる第1の窒化物半導体層、その上に窓部を有する保護膜が設けられ、前記保護膜は、誘電体多層膜からなるミラー構造を有し、保護膜上に横方向成長させた第2の窒化物半導体層を有することを特徴とする窒化物半導体成長基板。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , C30B 29/38 , H01L 33/00 , H01S 5/323 610

FI (4件)：

H01L 21/205 , C30B 29/38 D , H01L 33/00 Z , H01S 5/323 610

Fターム (59件)：

4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB01 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077EE06 , 4G077EF03 , 4G077TC13 , 4G077TC19 , 5F041AA36 , 5F041AA40 , 5F041CA34 , 5F041CA49 , 5F041CA56 , 5F041CA57 , 5F041CA64 , 5F041CA67 , 5F041CA74 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AB31 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AB34 , 5F045AB37 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF06 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045AF20 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DC51 , 5F045DC53 , 5F045DC62 , 5F073CA17 , 5F073CB03 , 5F073DA05 , 5F073DA06 , 5F073DA35 , 5F073EA06 , 5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (2件)

窒化物半導体素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-049906 出願人：日亜化学工業株式会社
反射器埋め込み半導体材料系及び反射器埋め込み半導体材料の組立方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-110091 出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー

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